• Vacuum Melting Electronic Grade Copper SiC Graphite Crucible for Semiconductor Target Material
Vacuum Melting Electronic Grade Copper SiC Graphite Crucible for Semiconductor Target Material

Vacuum Melting Electronic Grade Copper SiC Graphite Crucible for Semiconductor Target Material

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: Baidun
Número do modelo: VM-EG400

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1 peça
Preço: Negotiate
Detalhes da embalagem: Exportar embalagem de madeira
Tempo de entrega: 25-30 dias
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 2.000 unidades/mês
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Material: Carboneto de silício e grafite Densidade: 2.21-2.25 g/cm3
Forma: Cilíndrico Resistência à temperatura: Até 1650°C
Processo: Derretimento a Vácuo Aplicativo: Cobre de grau eletrônico para alvos semicondutores
Pureza: 6N (99,9999%) Atmosfera: Alto Vácuo
Destacar:

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Descrição de produto

Vacuum Melting Electronic Grade Copper SiC Graphite Crucible

Ultra-high purity crucible for vacuum melting of 6N (99.9999%) electronic grade copper used in semiconductor sputtering targets. Minimal outgassing and zero contamination design.

Key Features

  • Vacuum compatible ultra-low outgassing
  • 6N purity retention capability
  • Semiconductor grade material quality
  • Clean melting for target manufacturing
  • Batch traceability documentation

Applications

Semiconductor sputtering target production, electronic grade copper melting, high-purity copper for chip manufacturing, PVD target material preparation.

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